晶圓上金屬污染嚴重性
在追求奈米級微縮的戰場上，金屬污染是隱形的敵人。研究顯示，製程中相當比例的產額損失(Yield Loss)，源自於晶圓表面的微量金屬污染：
◼︎ 電性崩潰：金屬雜質會導致氧化層電壓耐受力下降(GOI失效)
◼︎ 漏電危機：p-n接面漏電流激增，導致元件功耗異常
◼︎ 壽命縮短：引發電遷移與微短路，威脅產品長期可靠度
SGS如何掌握晶圓上金屬污染？
SGS提供滾珠法(液滴走查法)搭配ICP-MS測試服務，透過我們的服務可協助您：
1. 精準追蹤：釐清污染源來自特定製程、機台設備還是化學試劑
2. 及時介入：在產品進入報廢流程前找出問題點，將良率損失降低
3. 品質保證：提供具公信力的第三方報告，確保晶圓達到嚴苛的品質標準
良率即競爭力！
在競爭激烈的半導體市場，SGS助您洞察細微風險。別讓微量金屬成為您量產之路的絆腳石！
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