供應鏈風險
全球粗鎵的生產高度集中在單一地區，根據美國地質調查局評估，其產量約佔全球總產量的98%以上，將造成了全球鎵供應鏈的高度依賴性的疑慮。
鎵化合物半導體的重要性
鎵是製造氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)半導體的關鍵原料，砷化鎵的電子遷移率為矽的5~7倍，具更快的開關速度；氮化鎵具有優異的熱穩定性，能夠支援在高溫下高效運作的電力電子裝置。這些材料廣泛用於5G基站、電動車電源系統、衛星與雷達等高頻高功率應用，而半導體製造使用佔全球鎵消費的九成以上。
挑戰與對策
產學界開始研究鎵的回收方法與可行性，希望降低對單一來源的依賴，並分散供應鏈的斷鏈風險：
∎以離子液體從廢棄GaAs中可選擇性地萃取出Ga和As，實現了高純度與高回收率(99%以上)
∎將含GaAs與SiC的切削廢料，高效分離出高純度(99%以上)的As、SiC與含Ga溶液
∎以聚焦雷射光束，使GaN晶體在焦平面局部熱分解為金屬Ga與氮氣，進而將磊晶層與底部基板分離
SGS服務項目
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∎ 金屬純度分析
∎ 微量不純物金屬/元素分析
∎ 晶圓表面不純物分析(滾珠法)
∎ 異物分析
∎ 其他測試：歡迎聯繫詢問討論
【延伸閱讀】
稀土供應鏈不確定因素下的半導體業因應對策
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