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AI伺服器導入液冷後，微通道內顆粒污染成為潛在風險。依 ISO 16232 管理冷卻液潔淨度，輔以設計、運維、監測三管齊下，確保散熱穩定並降低非預期停機風險。
PFAS是先進微影製程(光阻、抗反射塗佈ARCs等)中不可或缺的成分，決定了高解析度與製程良率。近期研究透過質量平衡模型分析，PFAS一定比例出現在旋塗廢液、顯影/沖洗廢水、後端的汙泥等廠內廢棄物中，量化數據後能標示出高貢獻度的材料與排放節點，並提供清晰的優先行動監管清單，以及提前因應各地區相關規範。SGS提供PFAS一站式服務套裝，協助企業廠內PFAS流向監測計畫、原物料風險。
隨著AI伺服器、資料中心及高效能運算（HPC）快速發展，液冷技術已成為關鍵散熱方案。
在AI持續發展的時代，稀土成為支持AI晶片發展的關鍵物料，但全球90%以上的稀土精煉產能卻高度集中於單一地區。面對地緣政治引發的供應鏈震盪，業界開始研究回收再生稀土。SGS以第三方精準測試，為您的替代料與再生料嚴格把關純度與雜質，將供應鏈的「不確定性」轉化為產線的「高可靠度」！
全球鎵原料產能高度集中，已成為半導體供應鏈斷鏈的隱形風險。面對產學界加速投入的鎵廢料回收趨勢，SGS提供專業的金屬純度與雜質檢測，助您精準把關回收料品質，穩固材料供應韌性！
冷卻液中的儲備鹼度與pH值亦是液冷系統穩定性與安全性的關鍵指標。當冷卻液逐漸變酸，將會開始腐蝕金屬散熱組件，恐造成冷卻系統管路破裂而漏液。本文以儲備鹼度與pH值兩個測項的角度，評估冷卻液長期穩定運行的適用性。
微量金屬污染是損害晶圓良率的關鍵。SGS透過滾珠法搭配ICP-MS測試，協助您掌握晶圓上微量金屬含量，洞察製程中的任何細微風險，守護產品品質、良率與競爭力。
冷卻液中的金屬/離子含量是液冷系統穩定性與安全性的關鍵指標。當金屬/離子含量逐漸升高，往往代表系統內部已出現腐蝕風險。本文分享實際案例，比較兩機櫃冷卻液中金屬/離子含量，隨運作時間的變化，進一步了解液冷機櫃配置的適用性，以及運作風險。
在AI高速運算的時代，伺服器穩定性與高效能是企業核心競爭力。液冷系統作為高效散熱解決方案，其品質直接影響運算效能與系統安全。冷卻液若變質或污染，將降低散熱效率，增加硬體故障風險；管路接頭等組件亦可能存在滲漏，導致不可挽回的設備損害。透過SGS專業冷卻液檢測及管路氣體保壓及洩漏測試，助您掌握液冷系統品質，提前發現問題，預防故障發生，延長設備壽命，確保伺服器在AI運算環境中持續高效穩定運行。
「SEMI TRUST」是為半導體及高科技製造業打造的品質標章，依據ISO架構並結合國際標準，對半導體之潔淨度與氣體化學管理兩大面向進行驗證，確保產品在安全、性能與適用性上符合業界要求。申請流程簡單，有助於提升產品全球市場信任度與競爭力。
With the advent of the 5G and AI era, the performance demands of data centers and servers continue to rise, making traditional air cooling increasingly inadequate. Liquid cooling offers higher heat dissipation efficiency, reducing power consumption and fan noise while maximizing server rack density and extending equipment lifespan.
液冷伺服器利用液體作為冷卻介質來吸收和散熱，這與傳統的空氣冷卻系統有很大的不同。液冷技術的核心在於其高效的熱傳導性能，能夠在高密度計算環境中有效地管理熱量。
隨著國際趨勢，全氟/多氟烷基物質 (PFAS) 逐漸列管禁用，尤其半導體業首當其衝，許多廠商開始尋求替代方案，各方買家響應法規，調查供應鏈中物料是否含PFAS，提前為將來的各項禁令做準備。
科技產業建廠涉及複雜的工程品質與施工風險管理。本研討會將分享如何運用先進技術，掌握國際規範及關鍵品質管控，協助企業降低施工風險，打造更安全、高品質且可靠的廠房環境。
SGS SEMI TRUST Mark亮相 COMPUTEX與推廣活動 助力台灣企業強化國際供應鏈競爭力
因應 AI 伺服器與先進晶片需求成長，半導體製程對化學品原物料的純度與穩定性要求大幅提升。SGS 將於 COMPUTEX 2026 重點展示「半導體超微量分析服務」，協助供應鏈客戶強化品質、安全、合規與永續。SGS 以一站式檢測與分析能量，協助半導體業者從原物料端建立風險控管基礎。
面對全球環保議題的日益增長，企業在實踐永續發展上的投入已成為極其重要的議題。綠色產品的研發與製造，不僅是企業實現環境友善目標的具體表現，更是 ESG 議題下企業永續經營的重要一環。
Date：2026/11/06
Location：台南市新市區南科二路12號(南科育成中心B106)
Registration Deadline：2026/11/01
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Date：2026/12/15
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Registration Deadline：2026/12/09
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